2022年11月1-2日，SEMICON China高峰论坛在上海国际会议中心举行，先进技术研究院敖金平教授出席活动，并在同期“功率及化合物半导体国际论坛2022”发表题为“氮化镓射频功率器件的研究与应用”的主题演讲，介绍了江南大学宽禁带半导体与器件团队在氮化镓射频肖特基二极管等射频器件和微波无线传能方面的研究成果，受到了与会嘉宾的高度评价。

氮化镓（GaN）是最重要的宽禁带半导体之一，已经用在短波长发光二极管和激光器上，也将是下一代高频高速、高功率和高温电子器件的关键材料。基于微波的无线电力传输技术，是一个正在兴起的技术。本报告针对低功率微波无线电力传输技术中微波整流模块的应用，设计和制造了准垂直结构的GaN射频肖特基二极管（SBD）。采用重掺杂外延层和图形化的肖特基阳极，降低了GaN SBD的串联电阻。对于反向击穿电压50V的器件，开启电阻为1.45Ω，结电容为0.87 pF。设计并测试了微波整流电路。源于优秀的二极管器件性能和微波电路设计，在工作频率905 MHz和输入功率23 dBm的条件下，转换效率达到92%。在2.45 GHz和输入功率25 dBm的条件下，转换效率达到91%。在905 MHz工作频率下，实现了传输距离3米，发射和接收功率分别为39 dBm和12.5 dBm。这些都是国际同类研究的最好结果。

本次论坛由来自苏州能讯、芯聚能、江南大学、中科汉韵、百识电子、常州臻晶、博世、倍耐克、赛默飞世尔科技、应用材料、宜普电源、北方华创、中电科十三所、爱思强、科磊、山东天岳、SPTS、Axcelis、芯塔电子共计十九位杰出演讲嘉宾分享了关于宽禁带半导体、新能源汽车与功率半导体、射频通讯、光电等最新技术趋势与应用方向，涵盖硅、砷化镓、磷化铟、碳化硅、氮化镓、氧化镓、氮化铝等半导体材料，是一场非常成功的技术与行业交流盛会，涵盖汽车整车、家电、手机、智能终端、新能源、子系统、器件制造、设备、材料、零部件等诸多领域的龙头及创新企业。