杨国锋
性别：男
出生日期：1985.06.30
职称、职务：教授、副院长（主持工作）
电话（手机）：
E-mail：gfyang@jiangnan.edu.cn
【学术简介】
博士，教授，硕导，理学院副院长（主持工作）。江南大学理学院光电信息科学与工程系教师，新加坡国立大学电子与计算机工程系访问学者，南京大学电子科学与工程学院博士后。美国电气和电子工程师协会（IEEE）会员、美国光学学会、中国光学学会和江苏省光学学会会员、江苏省集成电路学会会员。长期从事III-V族宽禁带半导体和低维半导体电子和光电器件及其系统应用研究工作，已在国际SCI学术刊物上发表学术论文100余篇。申请发明专利14项，授权6项。主持国家自然科学基金3项，江苏省自然科学基金青年基金1项，主持中国博士后和江苏省博士后基金3项，江苏省重点研发和无锡市科技发展基金1项，主持中央高校基本科研业务费重点专项项目2项，企业横向项目10项。参与完成国家973、863、自然科学基金和江苏省自然科学基金等多项重点项目课题。获中国电子学会科技进步奖1项，中国轻工业联合会和中国商业联合会科技进步奖各2项，获2016年“中国光学重要进展”和“江苏青年光学科技奖”。
【工作及研究经历】：
2022.06-至今，江南大学理学院光电信息科学与工程系，教授
2013.06-2022.05，江南大学理学院光电信息科学与工程系，副教授；
2019.04-2020.04，新加坡国立大学电子与计算机工程系，访问学者；
2013.09-2016.10，南京大学电子科学与工程学院，博士后；
2008.09-2013.06，南京大学电子科学与工程学院，微电子学与固体电子学工学博士学位；
2004.09-2008.06南京航空航天大学，理学学士学位。
【研究领域】
III-V族宽禁带半导体和新型异质结半导体光电和电子器件设计和制备，III-V族宽禁带半导体光电和电子器件应用研究。
【个人荣誉】
2020年，江苏省“青蓝工程”优秀青年骨干教师；
2020年，江苏省科协青年科技人才托举工程；
2022年，无锡市“百名科技之星”；
2016年，江苏青年光学科技奖
2016年，江南大学首届青年科研之星、江南大学至善青年学者。
【科研获奖】
1.“氮化镓基紫外发光和探测器件关键技术与应用”获2021年中国电子学会科技进步奖，三等奖，排名第2；
2.“新型高光效GaN基LED倒装芯片关键技术及应用”获2018年中国商业联合会科技进步奖，一等奖，排名第1；
3.“复合地毯织造产品智能生产线关键技术及产业化”获2018年中国轻工业联合会科技进步奖，二等奖，排名第3；
4. “图形化模板选择外延生长高效GaN基LED及其自发白光技术”获2017年中国轻工业联合会科技进步奖，三等奖，排名第1；
5. “基于图形化模板的高效GaN基LED及其无荧光粉白光照明技术”获2017年中国商业联合会科技进步奖，三等奖，排名第1；
6. “White-light emission from InGaN/GaN quantum well microrings grown by selective area epitaxy”入选“2016中国光学重要进展”；
7. 2018年获“无锡市第十届自然科学优秀学术论文”特等奖；
8. 2016年获“无锡市第十届自然科学优秀学术论文”二等奖。
【教学获奖】
1. “整合物理实验教学资源，激励学生自主实践能力的研究”获2019年江南大学教学成果奖，一等奖，排名第3；
2.指导本科毕业论文“III族氮化物半导体光电器件设计”，获2017年江苏省普通高校本科优秀毕业设计（论文），单篇二等奖；
3.指导本科毕业论文“新型光电器件设计”，获2017年江苏省普通高校团队优秀毕业设计（论文）；
4.指导学生作品“基于第三代半导体SiC-MOSFET的离网型光伏逆变系统”，获全国大学生光电设计竞赛全国总决赛二等奖，东部赛区一等奖。
5.指导本科生获得全国大学生物理实验竞赛二等奖1项。
【科研项目】
1.国家自然科学基金-面上项目，面向紫外探测的AlGaN光学诱导调控雪崩光电探测器研究，2020/01-2023/12，主持，在研；
2.江苏省重点研发-社会发展项目，面向食品中危害离子痕量检测的新型半导体传感关键技术及应用研究，2020/12-2023/06，主持，在研；
2.国家自然科学基金-青年基金，AlGaN基深紫外雪崩光电二极管物理调控机制研究，2017/01-2019/12，主持，结题；
3.国家自然科学基金-理论物理专款，基于二硫化钨纳米带结构的电学性质理论研究，2016/01-2016/12，主持，结题；
4.无锡市新兴产业技术研发项目，基于自组装镍纳米模板技术的GaN基高效蓝光LED芯片研发，2016/07-2019/06，主持，结题；
5.无锡市科技发展基金社会发展示范项目，面向食品安全检测的半导体传感器应用，2018/07-2021/06，主持，结题；
6.中央高校基本科研业务费重点专项项目，面向可见光通信和传感的新型半导体纳米结构光电器件研究，2016/01-2018/12，主持，结题；
7.江苏省自然科学基金青年基金，用于气体监测的Si衬底纳米阵列GaN肖特基传感器基础研究，2015/07-2018/06，主持，结题；
8.中国博士后基金面上项目，Si衬底上复合极性微面多波长GaN基LED的基础研究，2014/01-2015/12，主持，结题；
10.国家重点基础研究发展规划973项目，半导体固态照明用超高效率氮化物LED芯片基础研究，2011/01-2015/12，参与，结题。
【主要代表性论文】
[1]G. F. Yang*, Y. Gu, P. F. Yan,et al., Chemical vapor deposition growth of vertical MoS2nanosheets on p-GaN nanorods for photodetector application,ACS Applied Materials & Interfaces, 2019, 11(8): 8453-8460.
[2] F. Xie, Y. Gu, Z. J. Hu, B. L. Yu,G. F. Yang*,Ultra-low dark current back-illuminated AlGaN-based solar-blind ultraviolet photodetectors with broad spectral response,Optics Express, 2022, 30(13): 23756-23762.
[3] X. C. Jiang, F. Xie, Y. Gu, X. M. Zhang, G. Q. Chen,G. F. Yang*, L-Cysteine functionalized Al0.18Ga0.82NGaN high electron mobility transistor sensor for copper ion detection,IEEE Transactions on Electron Devices, 2022, 69(6): 3367-3372.
[4] Y. H. Li, Y. S. Liu,G. F. Yang*,et al., Enhanced performance of high Al-content AlGaN MSM photodetectors by electrode modification using hexadecanethiol,Optics Express, 2021, 29(4): 5466-5474.
[5] Y. Gu,G. F. Yang*, A. Danner*,et al., Analysis of high-temperature carrier transport mechanism for high Al-content Al0.6Ga0.4N MSM photodetectors,IEEE Transactions on Electron Devices, 2019, 67(1): 160-165.
[6]G. F. Yang*, Y. H. Li, Y. S. Liu,et al., Surface modification of AlGaN solar-blind ultraviolet MSM photodetectors with Octadecanethiol,IEEE Transactions on Electron Devices, 2022, 69(1): 195-200.
[7] J. Wang, J. M. Lei,G. F. Yang,et al., An ultra-sensitive and selective nitrogen dioxide sensor based on a novel P2C2monolayer from a theoretical perspective,Nanoscale, 2018, 10(46): 21936-21943.
[8] J. Wang,G. F. Yang,J. J. Xue,et al., A reusable and high sensitivity nitrogen dioxide sensor based on monolayer SnSe,IEEE Electron Device Letters,2018, 39(4): 599-602.
[9] Gu Yan, Yushen Liu,Yang Guofeng*,et al., 3D fluorescence confocal microscopy of InGaN/GaN multiple quantum well nanorods from a light absorption perspective,Nanoscale Adv., 2021, 3, 2649-2656.
[10] Chujun Yao,Yang Guofeng*, Rui Sun,et al., High-performance AlGaN-based solar-blind avalanche photodiodes with dual-periodic III-nitride distributed Bragg reflectors,Applied Physics Express, 2017, 10, 034302.
[11]Yang Guofeng*, Chen Peng, Shumei Gao,et al., White-light emission from InGaN/GaN quantum well microrings grown by selective area epitaxy,Photonics Research, 2016, 4, 17-20.
[12] Yan Dawei, Ren Jian,Yang Guofeng,et al., Surface acceptor-like trap model for gate leakage current degradation in lattice-matched InAlN/GaN HEMTs,IEEE Electron Device Letters, 2015, 36, 1281-1283.
[13] Wu Zhenlong, Chen Peng,Yang Guofeng*,et al., Morphology evolution and emission properties of InGaN/GaN multiple quantum wells grown on GaN microfacets using crossover stripe patterns by selective area epitaxy,Applied Surface Science, 2015, 331, 444-448.
[14]Yang Guofeng*, Li Guohua, Gao Shumei,et al., Characteristics of N-face InGaN light-emitting diodes with p-type InGaN/GaN superlattice,IEEE Photonics Technology Letter, 2013, 25, 2369-2372.
[15]Yang Guofeng*, Guo Ying, Zhu Huaxin,et al., Fabrication of nanorod InGaN/GaN multiple quantum wells with self-assembled Ni nano-island masks,Applied Surface Science, 2013,285, 772-777.
【在读硕、博士人数】
博士1人，硕士11人，毕业9人。
【以上资料更新日期】
2023年3月
